為了尋找三代像增強(qiáng)器管內(nèi)陰極靈敏度下降產(chǎn)生的原因, 用質(zhì)譜計(jì)作為質(zhì)量監(jiān)測(cè)手段, 通過對(duì)陰極原子級(jí)潔凈表面獲得、陰極激活銫、氧提純工藝參數(shù)優(yōu)化研究, 所制備的透射式GaAs 陰極光電發(fā)射穩(wěn)定性進(jìn)行在線考核試驗(yàn), 結(jié)果表明, 優(yōu)化工藝激活的光電陰極在真空度10^{- 9} Pa, 主要?dú)垰鉃镠2、N2、Ar 的超高真空度中存放500 h, 靈敏度穩(wěn)定。銦封到管內(nèi)陰極靈敏度下降與真空度降低和有害氣體污染有關(guān), 不是陰極自身的問題, 重點(diǎn)應(yīng)開展制管工藝質(zhì)量對(duì)靈敏度影響分析研究。

　　對(duì)用GaAs 光電陰極制成的高性能三代微光成像器件, 在進(jìn)行光電陰極靈敏度的測(cè)試時(shí), 發(fā)現(xiàn)陰極靈敏度常出現(xiàn)有升高和降低現(xiàn)象。這一問題的出現(xiàn), 嚴(yán)重影響了器件實(shí)用化進(jìn)程和器件工作壽命。從器件制造工藝來講, 造成光電陰極靈敏度不穩(wěn)定的因素是很多的, 其中主要有1、銦封慢漏氣, 2、管內(nèi)部件放氣, 3、GaAs 基底激活層沒有達(dá)到原子潔凈表面, 4、Cs、O 激活陰極靈敏度不穩(wěn)定等。他們都可能是造成陰極靈敏度下降的主要原因, 所以必須要結(jié)合器件工藝開展專題研究。以上四個(gè)問題中, 1、2屬于管體封接和部件處理工藝范圍, 3、4屬于光電陰極制作范圍。為搞清光電陰極銦封到管內(nèi)靈敏度下降的問題, 本文重點(diǎn)對(duì)GaAs 陰極激活工藝對(duì)光電發(fā)射穩(wěn)定性影響開展了實(shí)驗(yàn)研究, 通過質(zhì)譜計(jì)對(duì)工藝過程質(zhì)量進(jìn)行監(jiān)控, 確定了最佳工藝參數(shù), 首先解決了GaAs 陰極原位激活光電發(fā)射不穩(wěn)定問題。真空技術(shù)網(wǎng)(http://www.lalazzu.cn/)就對(duì)GaAs 陰極在線穩(wěn)定性研究方面所取得的結(jié)果作以報(bào)道。

1、透射式陰極組件結(jié)構(gòu)

　　三代像增強(qiáng)器所用的陰極結(jié)構(gòu)如圖1 所示。光輸入窗為康寧7056 玻璃, 最上層是GaAs 激活層, 下層是緩沖層, 緩沖層下是Si3N4 純化層, 它們是采用熱壓粘接在一起的。GaAs 激活層到Si3N4 層之間總厚不超過4 um。通常要求GaAs 激活層無針孔、無各種缺陷。

圖1 GaAs 陰極結(jié)構(gòu)

2、實(shí)驗(yàn)裝置

　　GaAs 陰極光電發(fā)射穩(wěn)定性試驗(yàn)是在超高真空傳遞銦封綜合制管臺(tái)陰極激活室進(jìn)行的, 抽氣系統(tǒng)全部采用無油機(jī)組, 主抽泵為離子濺射泵, 前級(jí)為無油機(jī)械泵配磁懸浮分子泵, 離子泵,裝液氮冷阱,鈦升華泵, 極限真空為4×10^-9 Pa。激活室配有微電流光電測(cè)試儀, 用于對(duì)陰極激活光電流的檢測(cè)。激活室還裝有殘氣分析質(zhì)譜計(jì), 用于對(duì)系統(tǒng)真空殘氣和材料放氣、陰極組件熱清洗放氣過程質(zhì)量檢測(cè)。

3、激活工藝參數(shù)確定

　　將陰極組件送入激活臺(tái)后, 把對(duì)陰極高低溫?zé)崆逑? 銫、氧源除氣和交替激活的全過程稱之為激活工藝。它是獲得GaAs 負(fù)電子親合勢(shì)陰極的關(guān)鍵工藝, 如果工藝質(zhì)量出現(xiàn)問題, 會(huì)造成GaAs 陰極光電發(fā)射不穩(wěn)定。通過長(zhǎng)時(shí)間對(duì)陰極激活工藝試驗(yàn)研究確定了最佳工藝參數(shù), 保證了GaAs 陰極激活原位光電發(fā)射穩(wěn)定性。

3.1、最佳熱清洗工藝

　　采用錸鎢合金材料繞制成的螺盤式加熱器對(duì)GaAs 陰極組件在10^{- 8} Pa 真空環(huán)境中進(jìn)行熱輻射加熱除氣, 同時(shí)用輻射系數(shù)為0.5 的紅外高溫計(jì)檢測(cè)GaAs 激活層表面加熱溫度, 通過大量試驗(yàn)第一輪熱清洗的最佳參數(shù)是90 min 內(nèi)把GaAs 陰極表面溫度升到600℃ , 保溫60 min 后停止加熱。待降溫120min 后開始第一輪Cs、O 激活。這種熱清洗工藝可使原位陰極激活靈敏度達(dá)到1400 uA/lm 以上。第二輪熱清洗升溫時(shí)間不變, 只是保溫時(shí)間為45 min, 溫度為480℃ , 常稱為低溫?zé)崆逑�。�?jīng)過第二輪熱清洗, 陰極靈敏度比第一次激活高30% , 可達(dá)1500 uA/ lm 以上。實(shí)驗(yàn)證明, 上述熱清洗工藝能夠很好地使GaAs 層達(dá)到原子級(jí)清潔表面, 并且獲得高靈敏度負(fù)電子親和勢(shì)陰極。

　　在熱清洗過程中, 還要根據(jù)GaAs 陰極組件的放氣特性選擇合適溫度范圍, 用質(zhì)譜計(jì)檢測(cè)組件加熱時(shí)放出的具體殘氣成分, 以判別組件是否除氣徹底和存在污染。其目的一是用質(zhì)譜分析計(jì)對(duì)組件在熱清洗時(shí)釋放的殘氣成分進(jìn)行在線追蹤質(zhì)量分析, 力求為獲得高靈敏度, 創(chuàng)造良好的真空環(huán)境。二是通過長(zhǎng)期數(shù)據(jù)積累, 為以后陰極激活靈敏度不正常提供分析依據(jù), 利于尋找問題, 避免研究工作走彎路,加快科研步伐。

3.2、陰極激活高純銫、氧獲得

　　GaAs 陰極激活所用的銫、氧源是保證獲得高靈敏度的關(guān)鍵材料。對(duì)銫源材料的要求是電流加熱反應(yīng)快, 放氣量小, 無質(zhì)量污染, 不掉粉末, 工作壽命長(zhǎng)。根據(jù)上述要求, 選用鋯鋁粉做還原劑的鉻酸銫,具體成分是1 份銫, 16.5 份鋯鋁粉、添加適量的鈮,其優(yōu)點(diǎn)是反應(yīng)物控制容易, 銫源不易熔斷, 性能可靠, 應(yīng)用時(shí)間長(zhǎng)。

　　高純銫的獲得關(guān)鍵在于對(duì)銫源材料除氣, 工藝參數(shù)的確定。通過對(duì)銫源除氣技術(shù)研究和對(duì)所制備的器件性能指標(biāo)測(cè)試證明, 銫源除氣最大電流在1.5 A 時(shí), 則有銫逸出, 加熱電流在1.5 A 時(shí)放氣量最大, 用質(zhì)譜計(jì)對(duì)放氣量最大時(shí)的殘氣成分進(jìn)行在線分析, 無污染的銫源放出的主要?dú)垰獬煞质荋2、H2O、CO、CO2、O。對(duì)銫除氣從開始到結(jié)束, 這個(gè)過程需要12 h 來完成, 而且電流是緩慢增加, 太快會(huì)使銫反應(yīng)劇烈, 易造成銫口暴裂, 銫源報(bào)廢。當(dāng)銫源電流加到2.2 A 時(shí), 如果真空度恢復(fù)到10^{- 8} Pa,無氣體釋放, 則除氣結(jié)束。除氣結(jié)束后要對(duì)銫進(jìn)行蒸發(fā)加熱, 電流為2.5 A, 時(shí)間為2 min。最后進(jìn)行銫口開封, 電流為3 A, 時(shí)間為10 s, 為保證銫開封后電流的穩(wěn)定性, 還要進(jìn)行電流為1 A, 時(shí)間90 min 銫源老煉, 方可供陰極激活使用。已開封銫源絕對(duì)不允許再暴大氣, 必須長(zhǎng)期保持在超高真空中, 防止環(huán)境污染。

　　高純氧的獲得也是在激活室中完成的, GaAs 陰極激活所用的氧源材料為過氧化鋇。用質(zhì)譜計(jì)對(duì)除氣過程進(jìn)行監(jiān)測(cè), 當(dāng)氧原子16 與水峰18 之比大于8時(shí), 便可獲得高純氧。最大加熱電流為2.5 A, 從開始到結(jié)束, 除氣過程需要8 h。激活時(shí)氧源加熱電流在1.5 A 就可滿足要求。高靈敏度三代像增強(qiáng)器的研究證明, 以上所述工藝參數(shù)是高純銫、氧獲得的最佳條件。

3.3、Cs、O 激活

　　把滿足器件要求的GaAs-玻璃粘接陰極組件,在超高真空激活室經(jīng)過高溫( 600℃) 熱清洗, 獲得原子級(jí)潔凈表面后, 進(jìn)行第一輪激活( 真空度必須在10^-8 Pa 以上) , 在Cs 保持不變情況下, 調(diào)節(jié)O, 進(jìn)行Cs、O 交替激活, 直到光電流達(dá)到最值, 然后再對(duì)組件進(jìn)行二輪低溫清洗( 450℃) , 再重復(fù)第一輪Cs、O交替激活, 使光電流再次達(dá)到最大時(shí)激活結(jié)束。通常經(jīng)過二輪激活的光電流峰值比第一輪峰值高20% ~ 30%, 靈敏度可達(dá)1500 uA/ lm 以上。

4、陰極原位光電發(fā)射穩(wěn)定試驗(yàn)

　　為了驗(yàn)證激活后陰極原位光電發(fā)射穩(wěn)定性, 對(duì)激活后的陰極進(jìn)行原位光電發(fā)射穩(wěn)定性試驗(yàn)。用光通量為1 lx 的光源連續(xù)照射光電發(fā)射層, 用光電流測(cè)量?jī)x監(jiān)測(cè)光電流隨時(shí)間的變化, 500 h 內(nèi)光電發(fā)射電流不下降, 可以認(rèn)為管內(nèi)光電陰極靈敏度下降不是陰極光電發(fā)射不穩(wěn)定造成的。把激活靈敏度較高的陰極放在激活原位, 系統(tǒng)抽氣泵處于工作狀態(tài)下,每隔2 h 監(jiān)測(cè)一次光電流, 經(jīng)過500 h 后, 光電流沒有下降, 證明了原位激活光電流的穩(wěn)定性, 結(jié)果如圖2 所示。從圖中可看出500 h 后管內(nèi)陰極靈敏度下降比在臺(tái)內(nèi)動(dòng)態(tài)狀態(tài)下下降快, 若管體銦封不漏氣,其靈敏度下降主要原因是由管內(nèi)真空度下降引起的。陰極在激活室內(nèi), 由于真空泵的不斷抽氣, 能始終維持超高真空狀態(tài)。相反管內(nèi)無抽氣泵, 加上微通道板和熒光屏工作狀態(tài)下的微量放氣, 管內(nèi)真空度肯定會(huì)下降, 從而造成陰極靈敏度的下降。如果微通道板除氣不徹底, 電子轟擊時(shí)釋放的有害氣體也會(huì)造成陰極靈敏度下降。

圖2 陰極穩(wěn)定性曲線

　　需要說明的是, 臺(tái)內(nèi)試驗(yàn)只反映了GaAs 陰極在動(dòng)態(tài)超高真空室內(nèi)的穩(wěn)定性, 而不能證明在管內(nèi)靜態(tài)真空中的穩(wěn)定性。管內(nèi)靜態(tài)真空中的穩(wěn)定性專門需要制作器件模擬超高真空系統(tǒng), 模擬器件工作條件開展專項(xiàng)課題研究。

5、結(jié)論

　　通過對(duì)GaAs-玻璃粘接透射式陰極激活光電發(fā)射在線穩(wěn)定性研究, 可以得出以下結(jié)論:

　　(1) 對(duì)GaAs-玻璃粘接陰極組件光電發(fā)射層進(jìn)行高溫600℃, 保溫60 min, 可以獲得原子級(jí)清潔表面。二輪低溫450℃, 保溫50 min 熱清洗, 陰極靈敏度比一輪激活提高25% 。

　　(2) 對(duì)GaAs 陰極激活銫源采用0~ 1.5 A, 10 h緩慢除氣, 2.5 A, 60 s 的蒸發(fā)加熱和3 A, 10 s 的銫源開封, 最后進(jìn)行電流1 A, 60 min 穩(wěn)定, 可獲得高純銫。氧源0~ 2 A 除氣8 h, 最大除氣電流2􀀁5 A。當(dāng)16(O) 峰和18(H2O) 峰高之比大于8 時(shí), 可獲得高純氧。

　　(3) 超高真空度條件下, 對(duì)陰極進(jìn)行高低溫?zé)崆逑磧奢喖せ? 激活時(shí)Cs 保持不變, 靠改變氧完成Cs, O 交替激活。

　　(4) 對(duì)采用優(yōu)化陰極激活工藝制備的GaAs 光電陰極進(jìn)行原位在線光電穩(wěn)定性試驗(yàn), 陰極靈敏度動(dòng)態(tài)超高真空中500 h 不下降。光電發(fā)射性能穩(wěn)定。管內(nèi)陰極靈敏度下降不是陰極自身發(fā)射問題, 是由管內(nèi)真空度降低和有害氣體污染引起的。