基于Parylene的球形凸起微電極陣列的研究
神經(jīng)工程在揭示神經(jīng)系統(tǒng)的工作機理以及神經(jīng)疾病的治療和康復(fù)等方面具有重要意義。微電極陣列是神經(jīng)系統(tǒng)與外界電子電路的接口,它的性能決定了整個神經(jīng)系統(tǒng)的信號采集和刺激的效果。本文提出了一種基于氣相沉積Parylene 薄膜的球形微電極陣列。通過光刻膠熱熔回流形成半球狀凸起微電極,微電極陣列外部由Parylene 包裹,具有較好的柔韌性和生物兼容性。對比平面電極,具有較低的阻抗。
神經(jīng)工程是神經(jīng)科學(xué)、微電子技術(shù)、材料科學(xué)以及信息科學(xué)的交叉學(xué)科。在神經(jīng)學(xué)科中,神經(jīng)電極是神經(jīng)工程系統(tǒng)中最關(guān)鍵部件之一,它起著記錄來自運動纖維的電信號和利用電信號激勵或抑制神經(jīng)活動以實現(xiàn)功能性電刺激的重要作用,是外界電路與生物體的接口。由于神經(jīng)細胞尺寸非常小,在神經(jīng)組織和外界電子電路之間建立起有效和諧的接口是一項極具挑戰(zhàn)性的任務(wù)。隨著微電子技術(shù)和微加工能力的進步,人們開始將MEMS(微機電系統(tǒng))技術(shù)引入到神經(jīng)工程領(lǐng)域以克服該領(lǐng)域研究中的障礙,通過微加工工藝制作尺寸與神經(jīng)細胞相當(dāng)?shù)奈㈦姌O,,以獲得更可靠的記錄結(jié)果和更有效的刺激效果。目前常見的神經(jīng)電極包括篩狀電極(Sieve-Shaped Electrode)、卡膚電極(Cuff Electrode)、劍狀電極(Shaft Electrode)及由劍狀電極演變的梳狀(Comb-like Multi-shanks)二維電極和針形電極陣列、平面微電極陣列等不同類型的電極。
1、微電極陣列的設(shè)計
對于植入式微電極,在電極植入生物體內(nèi)后,往往要保留幾個月甚至幾十年,因此要維持電極的正常工作,電極的基底和封裝材料必須具有很好的生物相容性和生物穩(wěn)定性。此外,由于電極與柔軟的神經(jīng)組織接觸,必須具有很好的柔性以適應(yīng)組織的表面形貌,以免對組織造成機械損傷。常用到的聚合物基底材料有PDMS,SU-8,Parylene,Polyimide等。近年來,Parylene 以其特有的優(yōu)點已經(jīng)逐漸取代Polyimide 作為微電極的封裝材料。相比與其他的聚合物封裝材料,Parylene 具有更多的優(yōu)點,包括它的無針孔涂覆,更低的液氣滲透率,良好的生物相容性,透明性和柔韌性,以及較好的機械強度等。
對于植入式微電極,電極材料也必須具有一定的生物相容性和穩(wěn)定性,同時要考慮到電極在電流條件下在生物體內(nèi)不被腐蝕。因此,電極材料往往選擇惰性貴重金屬,如鉑、金、銥、鎢等。另外,對于電極材料的選擇還要考慮工作中的能耗、穩(wěn)定的電化學(xué)性質(zhì)、穩(wěn)定的阻抗和頻率響應(yīng)特性等。對于電極引線,由于通常是通過絕緣材料和封裝結(jié)構(gòu)包埋在電極主體結(jié)構(gòu)的內(nèi)部,不會直接與體液環(huán)境接觸,因此材料的抗腐蝕特性和生物相容性不是主要考慮因素,主要考慮其電學(xué)特性、加工成本以及其加工過程與MEMS工藝的兼容性。
在電極制備過程中,選用金作為電極和引線材料,通過濺射工藝形成電極和引線,工藝過程簡單。通過一次濺射形成電極和導(dǎo)線,減小了采用不同金屬制備電極和引線時金屬間的接觸阻抗,能夠進一步減小電極阻抗。
利用光刻膠熱熔技術(shù),設(shè)計了一種新型的半球形凸起三維電極。與圓柱形電極相比,在相同底面積的情況下,半球形電極能夠使電極的有效接觸面積增大2倍,這對于進一步減小電極阻抗有一定的作用。圖1 是半球形凸起微電極陣列單個電極點的剖面示意圖。
圖1微電極陣列單個電極點的剖面示意圖 圖2 微電極陣列的設(shè)計圖
設(shè)計了5×5的微電極陣列,初始電極直徑為50μm,電極間間距為600μm,刺激電極通過下埋導(dǎo)線與引腳電極相連,刺激器將通過引腳電極輸入刺激電信號。引腳電極尺寸寬為0.5mm,連接導(dǎo)線與刺激電極的互連線線寬為50μm,間距為100μm,圖2 是微電極陣列的設(shè)計圖。
2、微電極陣列的制作工藝
采用光刻膠熱熔技術(shù),通過圖形轉(zhuǎn)移,并采用生物相容性材料Parylene C 薄膜包裹,再使用Parylene C 的反應(yīng)離子刻蝕露出電極點,從而獲得了電極形貌為半球型的柔性生物微電極陣列。具體的工藝流程如圖3所示。
圖3 制備微電極陣列的工藝流程