利用電子束蒸鍍方法在單晶硅和石英玻璃上制備了摻不同Y₂O₃濃度的摻釔穩(wěn)定ZrO₂薄膜( YSZ) ,用X 射線衍射、原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡和透射光譜測(cè)定薄膜的結(jié)構(gòu)、表面特性和光學(xué)性能,研究了退火對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能的影響。結(jié)果表明:一定濃度的Y₂O₃摻雜可以使ZrO₂薄膜穩(wěn)定在四方相,退火顯著影響薄膜結(jié)構(gòu),隨著溫度的升高薄膜結(jié)構(gòu)依次經(jīng)歷由非晶到四方相再到四方和單斜混合相轉(zhuǎn)變;AFM分析顯示薄膜表面YSZ顆粒隨著退火溫度的升高逐漸增大,表面粗糙度相應(yīng)增大,晶粒大小計(jì)算表明,退火溫度的提高有助于薄膜的結(jié)晶化,退火溫度從400 ℃到1100 ℃變化范圍內(nèi)晶粒大小從15.6nm增大到46.3nm;同時(shí)利用納秒激光對(duì)薄膜進(jìn)行了破壞閾值測(cè)量,結(jié)果表明電子束蒸鍍制備YSZ薄膜是一種制備高抗激光損傷鍍層的有效方法。

　　ZrO₂是近來(lái)研究較為熱門(mén)的光學(xué)鍍膜材料,具有折射率高、光譜透明范圍寬、對(duì)可見(jiàn)光和紅外波段都有低吸收和低散射等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)化學(xué)穩(wěn)定性好、熱導(dǎo)率低,尤其這種材料具有很強(qiáng)的抗激光損傷能力,可以大幅提高激光器的輸出功率和能量,對(duì)于激光加工、國(guó)防軍事、科學(xué)研究等方面具有重要研究?jī)r(jià)值。眾多研究表明,ZrO₂存在單斜、四方和立方三種晶型,低溫制備的ZrO₂多為單斜結(jié)構(gòu),單斜晶由于具有導(dǎo)熱系數(shù)低和韌性差等特點(diǎn),限定了它的應(yīng)用。顯著影響ZrO₂力學(xué)和光學(xué)性能的是四方和立方晶型,但氧化鋯晶型相變過(guò)程中伴隨著體積變化,致使薄膜存在較大應(yīng)力容易破裂,可以通過(guò)摻雜少量的Y₂O₃起到晶型穩(wěn)定和改善薄膜光學(xué)性能的作用。研究YSZ薄膜的制備工藝、表面質(zhì)量、雜質(zhì)缺陷等特性,進(jìn)而探討薄膜性質(zhì)同光學(xué)性能的關(guān)系,對(duì)于研究新型光學(xué)功能薄膜也具有很大意義。

　　電子束蒸鍍法具有大面積成膜,沉積速率高,膜基附著力好,結(jié)構(gòu)致密,可以獲得高純膜等優(yōu)點(diǎn),在制備高抗損傷光學(xué)薄膜方面存在很大的優(yōu)勢(shì),迄今為止已有一些ZrO₂ 薄膜抗光學(xué)損傷的研究報(bào)道,但有關(guān)薄膜退火后晶體性質(zhì)的改變對(duì)激光損傷閾值的影響還鮮有涉及。本文中,我們利用電子束蒸鍍方法制備了不同摻釔濃度的YSZ薄膜,并經(jīng)不同的溫度退火(400、600、800、1100 ℃) , 采用XRD、AFM、UV-VIS等手段研究了退火對(duì)YSZ薄膜晶體結(jié)構(gòu)和表面特性的影響,進(jìn)而對(duì)薄膜進(jìn)行了納秒激光損傷試驗(yàn),根據(jù)ISO11254-1激光損傷測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)對(duì)光學(xué)破壞閾值進(jìn)行了測(cè)量。

1、實(shí)驗(yàn)

　　薄膜制備是在DM700 鍍膜機(jī)上自行設(shè)計(jì)加裝E型電子槍后完成,采用擴(kuò)散泵獲得高真空,本底真空為9 ×10^-4Pa 。電子加速電壓固定在6kV ,沉積速率和蒸發(fā)功率通過(guò)改變電子束流大小來(lái)控制,電子槍和樣品臺(tái)的距離為300mm。YSZ塊體購(gòu)自北京有色金屬研究總院,Y₂O₃摻雜含量分別為0,5% ,10% ,15%四種,采用石英玻璃做襯底用于光學(xué)透過(guò)率測(cè)量,單晶硅做襯底用于薄膜結(jié)構(gòu)和形貌分析以及激光損傷實(shí)驗(yàn)。蒸鍍前襯底經(jīng)丙酮、去離子水、乙醇溶液各超聲清洗15min ,然后氮?dú)獯蹈伞��?shí)驗(yàn)中蒸鍍氣壓隨著電子槍功率增大而增加,當(dāng)電流范圍在120mA～180mA 之間時(shí),相應(yīng)氣壓從2.3 ×10^-2Pa 升高到4.1 ×10^-2Pa ,蒸鍍過(guò)程中樣品臺(tái)伴隨一定程度的溫升,溫度大約為80℃。隨后樣品在大氣環(huán)境下經(jīng)不同溫度退火。

　　薄膜晶體結(jié)構(gòu)用理學(xué)D/Max2000PC 型X 射線衍射儀檢測(cè)(XRD) ,管壓40kV ,管流20mA ,掃描速度4°/min ;采用GBC2Cintra303 型紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)測(cè)量薄膜透過(guò)率;應(yīng)用本原納米公司SPM4000 型原子力顯微鏡進(jìn)行薄膜表面形貌和粗糙度分析;薄膜厚度用Kla2Tencor2P16 臺(tái)階儀測(cè)量,臺(tái)階通過(guò)在玻璃襯底上設(shè)置掩模板制備;用島津SS50 型掃描電子顯微鏡進(jìn)行激光損傷后薄膜表面分析。

　　激光損傷實(shí)驗(yàn)根據(jù)ISO112542I : 12ON21 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行,即在樣品上每一點(diǎn)僅進(jìn)行一次光照射,實(shí)驗(yàn)裝置示意圖如圖1 ,采用閃光燈抽運(yùn)的Cr4 + :YAG被動(dòng)調(diào)QCe 、Nd 雙摻Y(jié)AG 激光器, 頻率1Hz , 輸出波1064nm ,脈寬10ns ,最大能量30mJ ,能量不穩(wěn)定度小于±5 % ,激光光斑半徑定義為從光斑中心到激光能量下降到峰值能量的1/ e² 處的距離。激光能量調(diào)節(jié)通過(guò)改變兩片偏振片的偏轉(zhuǎn)角度實(shí)現(xiàn),經(jīng)透鏡聚焦后入射樣品表面,透鏡焦距80mm。在樣品上每隔2mm進(jìn)行一次激光照射,并把經(jīng)激光照射后輻照光斑最初出現(xiàn)的位置定義為破壞。實(shí)驗(yàn)中利用氦氖激光器進(jìn)行光路準(zhǔn)直和損傷定位,損傷效果用CCD 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。

圖1 　納秒激光損傷實(shí)驗(yàn)示意圖

　　限于篇幅，文章第二章節(jié)的部分內(nèi)容省略，詳細(xì)文章請(qǐng)郵件至作者索要。

3、結(jié)論

　　采用電子束蒸發(fā)法制備了摻雜不同Y₂O₃濃度的YSZ薄膜,研究了摻雜濃度和退火對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性的影響,結(jié)果發(fā)現(xiàn)一定范圍的摻雜可以使薄膜穩(wěn)定于四方相,退火對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)和表面形貌有很大影響,高溫退火使薄膜結(jié)晶程度增強(qiáng),晶粒尺寸顯著增大。退火引起的晶界增多,增大了薄膜中的光散射作用,使得薄膜光透過(guò)率下降,但影響不明顯。對(duì)不同溫度退火后的樣品進(jìn)行了激光損傷實(shí)驗(yàn),發(fā)現(xiàn)經(jīng)400 ℃退火后的YSZ 薄膜激光損傷閾值最高,達(dá)到13.5J/cm² 。