一種新型楔形膜在真空中的制作方法及測(cè)試結(jié)果
提出了一種新型楔形膜在真空中的制作方法,可以替代白光干涉位移傳感器中的關(guān)鍵元件。該方法采用兩層復(fù)制技術(shù),用有機(jī)材料SU8 膠作為楔形膜中間的材料。同時(shí),搭建了白光干涉位移傳感器系統(tǒng),對(duì)制作的楔形膜進(jìn)行了測(cè)量。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該解調(diào)系統(tǒng)具有較好的穩(wěn)定性及較高的測(cè)量精度。
在白光干涉位移傳感器中,關(guān)鍵元件是楔形膜。目前現(xiàn)有的制作光楔的技術(shù)有兩種。
第一種,采用鍍介質(zhì)膜的方法制作楔形膜。該方法的工藝過(guò)程是:首先,在光學(xué)基板上鍍制高反膜,然后在高反膜上鍍楔形介質(zhì)膜,最后在介質(zhì)膜上鍍一層半透半反膜,從而形成斐索干涉儀中楔形膜。缺點(diǎn)是:
、馘兒穸仍5 μm~40 μm 間線性變化的介質(zhì)膜,其控制難度大,成功率低;
②厚度較厚的介質(zhì)膜由鍍膜機(jī)的真空環(huán)境中取出時(shí),在空氣中受到濕度和內(nèi)應(yīng)力的影響,容易產(chǎn)生褶皺而損壞;
、坼冎平橘|(zhì)膜的設(shè)備昂貴,鍍40 μm 的介質(zhì)膜需要20 h 以上,制作成本較高。
第二種,利用兩個(gè)單面鍍制有半透半反膜的光學(xué)基板,基板一端用一定厚度的間隔裝置,另一端直接接觸,形成楔形空氣腔。此方法雖然簡(jiǎn)單,但為了保證楔形空腔的厚度和位置的線性關(guān)系,兩個(gè)光學(xué)基板的鍍膜面必須有較好的面型,而基板厚度是保證面型的基礎(chǔ),這就增加了空間尺寸。同時(shí),兩個(gè)面要求加工出較高的面型,這大大增加了制作成本。
本方法將采用一種模板復(fù)制技術(shù),這樣,光學(xué)基片不需要有很高的面型要求,只需把模板的面型做到0.1 個(gè)波長(zhǎng),通過(guò)兩次壓印復(fù)制技術(shù),使楔形膜上下兩個(gè)表面的面型與模板一致,保證了楔形膜的厚度變化為線性變化。同時(shí)相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)二,降低了光學(xué)基板的加工成本,減小了基板的厚度,即減小了楔形膜的空間尺寸。
采用目前常用的有機(jī)材料SU8 膠作為楔形膜中間的材料,替換了現(xiàn)有技術(shù)中采用鍍介質(zhì)膜的方法,不需要鍍介質(zhì)膜的專用設(shè)備,大大降低了成本。
1、新型楔形膜的基本制作步驟
新型楔形膜的基本制作步驟主要分為:壓印準(zhǔn)備、壓印及紫外固化、脫模、堅(jiān)膜、鍍反射膜、壓楔形、鍍半透半反膜等七個(gè)步驟。
(1)壓印準(zhǔn)備
基片采用K9 玻璃,模板是石英玻璃(1/10 波長(zhǎng)面型),分為基片清洗、模板與基片的表面改性、涂膠、前烘。
圖1 楔形膜的制作流程圖
(2)壓印及紫外固化
目的是復(fù)制模板的面型。具體操作如下:將壓印模板壓在表面具有SU-8 膠的K9 玻璃基底上, 在真空烘箱中以100℃烘烤10 min 之后,SU-8 光刻膠受熱軟化。向壓印模板施加2 MPa的壓印壓力,使得壓印模板壓入SU-8 光刻膠。保持100℃壓印溫度及2 MPa 壓印壓力120 min,待壓印結(jié)束后自然冷卻。此時(shí),壓印模板、SU-8 光刻膠以及K9 玻璃基底會(huì)結(jié)合在一起。通過(guò)透光的壓印模板對(duì)SU-8 光刻膠進(jìn)行紫外曝光,對(duì)曝光后的SU-8 光刻膠進(jìn)行后烘使得SU-8 光刻膠會(huì)發(fā)生交聯(lián)。后烘溫度為100℃,時(shí)間為40 min。
(3)脫模
自然冷卻后,脫模。這樣,模板的面型已經(jīng)復(fù)制在基片上。
(4)堅(jiān)膜
復(fù)制有模板面型的基片放在烘箱中烘烤10 min,溫度為150℃。
(5)鍍反射膜
在第一次壓印后的SU8 表面鍍反射膜,如圖1(B)所示。
(6)壓楔形
如步驟(1)所述,在基片上旋涂SU-8,經(jīng)過(guò)前烘等若干步驟,然后在基片的一端墊一個(gè)所需楔形膜厚度的精密量片,壓制楔形,如圖1(C)所示。條件跟前面的一樣。
(7)鍍半透半反膜
在楔形膜的表面用離子束濺射鍍膜機(jī)鍍Cr,厚度根據(jù)優(yōu)化的反射率來(lái)鍍制,如圖1(D)所示。上面的幾個(gè)步驟組成了整個(gè)楔形膜的制作過(guò)程。
小結(jié)
利用制作的楔形膜搭建了白光干涉位移傳感器系統(tǒng),同時(shí)對(duì)其進(jìn)行了測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明,誤差在±30 μm,具有較高的測(cè)量精度。