導(dǎo)電薄膜電阻測(cè)量技術(shù)的可靠性研究

2009-12-14 謝鴻波 廣州半導(dǎo)體材料研究所

  針對(duì)手提式薄膜方塊電阻測(cè)試儀在使用中容易出現(xiàn)的問題,進(jìn)行分析研究,提出了解決方案,并在實(shí)驗(yàn)中得到實(shí)現(xiàn)。研究的問題包括:電池供電的電壓監(jiān)測(cè);探頭完全與被測(cè)樣品接觸良好的檢測(cè);防止探針對(duì)被測(cè)樣品造成電擊穿;測(cè)量時(shí)自動(dòng)進(jìn)行量程轉(zhuǎn)換等。

  隨著濺射技術(shù)、靶材技術(shù)的發(fā)展深入和成熟,使以氧化銦錫透明導(dǎo)電玻璃(ITO 玻璃)為代表的導(dǎo)電薄膜材料的制造和應(yīng)用越來越廣泛。ITO 玻璃目前是與液晶顯示等平面顯示技術(shù)配套的關(guān)鍵組件。從1987 年起至今,ITO 玻璃的制造在國(guó)內(nèi)已有二十年的歷史。產(chǎn)品已廣泛用于電子手表、計(jì)算器、游戲機(jī)、移動(dòng)電話、電腦顯示器、平面電視等消費(fèi)類產(chǎn)品,以及各種光電儀器設(shè)備和科學(xué)實(shí)驗(yàn)中的透明導(dǎo)電電極等,F(xiàn)在,國(guó)內(nèi)已有ITO 玻璃生產(chǎn)企業(yè)的單位年生產(chǎn)能力由60 萬(wàn)片提高到了2000 萬(wàn)片。產(chǎn)品也從TN 型ITO 玻璃,延伸到STN 型、觸摸屏、彩色濾光片……眾多品種。

1、導(dǎo)電薄膜材料的檢測(cè)參數(shù)

  面對(duì)越來越大量的導(dǎo)電薄膜材料的生產(chǎn)制造,如何保證產(chǎn)品的質(zhì)量?除了要求生產(chǎn)企業(yè)的生產(chǎn)線穩(wěn)定性不斷提高,檢測(cè)技術(shù)在此也提供了強(qiáng)有力的支撐作用。

  ITO 玻璃的產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)包括以下幾個(gè)方面:尺寸、方塊電阻、蝕刻性能、ITO 膜層耐堿性、光電性能和可靠性等。除尺寸方面的檢測(cè)僅與玻璃原片有關(guān)外,其余幾個(gè)方面都與ITO 玻璃生產(chǎn)的工藝過程有關(guān)。由于國(guó)內(nèi)大多數(shù)ITO 玻璃生產(chǎn)企業(yè)自己不生產(chǎn)玻璃原片,所以與生產(chǎn)企業(yè)有關(guān)的ITO 玻璃產(chǎn)品質(zhì)量參數(shù)就是:方塊電阻、蝕刻性能、ITO 膜層耐堿性、光電性能和可靠性等。以上幾個(gè)參數(shù)是由ITO 玻璃生產(chǎn)的工藝過程所確定,同時(shí)各個(gè)參數(shù)之間也存在必然的關(guān)聯(lián)?梢哉f,這幾個(gè)參數(shù)中的每一個(gè),都可以是其余參數(shù)為變量的函數(shù)。事實(shí)上,在生產(chǎn)線的技術(shù)條件穩(wěn)定,靶材選擇固定的條件下,檢測(cè)以上幾個(gè)參數(shù)的任意一個(gè),其結(jié)果都有代表性的意義。所以,我們選取方塊電阻作為經(jīng)常性檢測(cè)的參數(shù)。因?yàn)閷?duì)方塊電阻的檢測(cè)操作最簡(jiǎn)便,檢測(cè)成本最低,并且瞬間就可以得到檢測(cè)結(jié)果。

2、薄膜電阻的測(cè)量原理

  薄膜的膜層電阻通常以方塊電阻(或面電阻、薄層電阻)來表示。按照電阻定律:

R = ρ × L/S (1)

  式中R 代表樣品電阻,ρ 代表樣品電阻率,L代表電流方向上的樣品長(zhǎng)度,S 代表樣品垂直于電流方向上的截面積?梢缘贸瞿与娮璧臏y(cè)量原理如下:如圖1所示,G 表示玻璃原片;ITO 表示被濺射在玻璃原片上的氧化銦錫膜層;D 表示膜層的厚度;I 表示平行于玻璃原片表面而流經(jīng)膜層的電流;L1 表示在電流方向上被測(cè)膜層的長(zhǎng)度;L2 表示垂直于電流方向上被測(cè)膜層的長(zhǎng)度。根據(jù)式(1),則膜層電阻R 為:

R = ρ×L1/(L2×D) (2)

  式中ρ 為膜層材料的電阻率。當(dāng)(2) 式中L1= L2 時(shí),定義這時(shí)的膜層電阻R 為膜層的方塊電阻R□:

R□ = ρ /D(單位:Ω/□) (3)

  它表示膜層的方塊電阻值僅與膜層材料本身和膜層的厚度有關(guān),而與膜層的表面積大小無關(guān)。這樣,任意面積的膜層電阻R 的計(jì)算,由式(2)和式(3)得出:

R =R□(L1/L2) (單位Ω) (4)

膜層電阻方塊電阻的測(cè)量

圖1 膜層電阻圖2 方塊電阻的測(cè)量

  目前在實(shí)際的測(cè)量中,通常測(cè)量的是膜層的方塊電阻。在線檢測(cè)的儀器基本上采用“直排四探針”方法對(duì)膜層的方塊電阻進(jìn)行測(cè)量。原理如圖2 所示。圖中1、2、3、4 表示四根探針;S 表示探針間距;I 表示從探針1 流入、從探針4 流出的電流(單位:mA);△V 表示探針2、3 間的電位差(單位:mV)。

  此時(shí),膜層的方塊電阻R□可表示為:

R□= 4.53×△V/I(單位:Ω/□) (5)

  由上式可見,只要在測(cè)量時(shí)給樣品輸入適當(dāng)?shù)碾娏鱅,并測(cè)出相應(yīng)的電位差△V,即可得出膜層的方塊電阻值。

3、問題的提出

  實(shí)際上,在ITO 玻璃的生產(chǎn)過程中,檢測(cè)最多的參數(shù)是ITO 玻璃的方塊電阻。根據(jù)在不同崗位的檢測(cè)需要,生產(chǎn)企業(yè)分別使用手提式和臺(tái)式這兩種方塊電阻測(cè)儀。而手提式方塊電阻測(cè)試儀相對(duì)使用較多。

  手提式方塊電阻測(cè)試儀的特點(diǎn)如下:

  (1) 可手持儀器進(jìn)行測(cè)量,操作簡(jiǎn)單、移動(dòng)方便靈活。

  (2) 可采用電池供電,對(duì)測(cè)量過程的干擾因素較少。

  但存在的問題如下:

  (1) 采用電池供電時(shí),儀器電源電壓會(huì)出現(xiàn)從高到低變化。為保證儀器的正常工作,目前儀器上采用超前低電壓報(bào)警的做法。由于“超前”較多,所以不能使電池得到充分的利用。因此提高了使用成本,增加更換電池的次數(shù)又降低生產(chǎn)效率。還造成多余電池的浪費(fèi),不利于環(huán)保。

  (2) 由于是手持儀器和探頭進(jìn)行操作,探頭的四根探針不容易同時(shí)與被測(cè)樣品接觸良好,進(jìn)而影響測(cè)量的可靠。目前儀器采用完全不對(duì)探針的接觸狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè),或僅對(duì)探頭的其中部分探針進(jìn)行檢測(cè)的方法進(jìn)行監(jiān)測(cè),漏測(cè)率至少還有50%。對(duì)檢測(cè)結(jié)果的確定性仍有較大的風(fēng)險(xiǎn)。

  (3) 被測(cè)樣品存在著在測(cè)量時(shí)被電流擊穿(燒壞)的可能性,使樣品遭受損壞。目前的儀器在電流輸出回路上多數(shù)采用穩(wěn)流(而非恒流)的措施,即依靠反饋回路或運(yùn)算放大電路,當(dāng)被測(cè)樣品接入回路后,使回路電流穩(wěn)定到預(yù)先設(shè)置的電流值。而當(dāng)探頭未與樣品接觸時(shí),探頭的1、4探針之間存在一定的電壓,這個(gè)電壓可能是幾伏甚至幾十伏。這就使當(dāng)探頭與樣品接觸(或探頭離開樣品)的瞬間,在接觸點(diǎn)存在“打火”的可能,導(dǎo)致對(duì)膜層的損壞。

  (4) 當(dāng)前主要的ITO 玻璃產(chǎn)品的方塊電阻范圍是10~200 Ω/□。如果生產(chǎn)線的不穩(wěn)定,或者人為的特殊調(diào)整,以及在科學(xué)實(shí)驗(yàn)中制造更薄或更厚的ITO 薄膜和其它導(dǎo)電薄膜的需要,均有可能使薄膜的方塊電阻達(dá)到1×10- 4~1×104 Ω/□。目前儀器采用手動(dòng)更換測(cè)量量程,然后繼續(xù)測(cè)試的做法,自然會(huì)給使用帶來一定的不便。