濺射氣壓對PI襯底CIGS薄膜太陽電池Mo背電極的影響

2013-04-29 李志國 天津市光電子薄膜器件與技術(shù)重點實驗室

　　柔性聚酰亞胺(PI)襯底Cu(In,Ga)Se2(簡稱CIGS 或銅銦鎵硒)薄膜太陽電池具有高質(zhì)量功率比、適合卷對卷規(guī)�；a(chǎn)和成本低等優(yōu)勢，其商業(yè)發(fā)展前景受到廣泛關(guān)注。Mo 薄膜作為CIGS 薄膜電池的背電極，其熱膨脹系數(shù)低于PI 襯底，因此研究與之匹配的Mo 薄膜非常重要。

　　本文采用直流磁控濺射方法在PI 上沉積Mo 背電極，研究不同濺射氣壓對Mo 薄膜電學(xué)特性、結(jié)構(gòu)特性及對CIGS 薄膜太陽電池的影響。

　　結(jié)果表明，隨著濺射氣壓提高，PI襯底上Mo 薄膜的殘余應(yīng)力降低，表面裂紋明顯減少，但薄膜結(jié)晶質(zhì)量變差，電阻率明顯升高，附著力下降。結(jié)合Mo 背電極對附著力、殘余應(yīng)力和電學(xué)特性的要求，最終制備出了適合PI襯底CIGS 薄膜太陽電池的Mo 背電極，電池器件性能明顯提高。