為了提高傳感器的品質(zhì)因數(shù)，有效保護(hù)諧振器，提出了一種基于絕緣體上硅(SOI)-玻璃陽(yáng)極鍵合工藝的諧振式微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)壓力傳感器的制作及真空封裝方法。該方法采用反應(yīng)離子深刻蝕技術(shù)(DRIE)，分別在SOI晶圓的低電阻率器件層和基底層制作H型諧振梁與壓力敏感膜;然后，通過氫氟酸緩沖液腐蝕SOI晶圓的二氧化硅層釋放可動(dòng)結(jié)構(gòu)。最后，利用精密機(jī)械加工技術(shù)在Pyrex玻璃圓片上制作空腔和電連接通孔，通過硅-玻璃陽(yáng)極鍵合實(shí)現(xiàn)諧振梁的圓片級(jí)真空封裝和電連接，成功地將諧振器封裝在真空參考腔中。對(duì)傳感器的性能測(cè)試表明：該真空封裝方案簡(jiǎn)單有效，封裝氣密性良好;傳感器在10kPa～110kPa的差分檢測(cè)靈敏度約為10.66Hz/hPa，線性相關(guān)系數(shù)為0.99999　542。

　　1、引言

　　諧振式壓力傳感器作為典型的高精度壓力傳感器，在航空航天、氣象探測(cè)、工業(yè)控制等領(lǐng)域有著非常重要的作用。它利用壓力的變化引起敏感膜的形變，敏感膜的形變又改變?cè)谄渖系碾p端固支諧振梁的諧振頻率，從而可通過測(cè)量諧振梁的諧振頻率變化間接測(cè)量壓力。諧振式MEMS壓力傳感器有機(jī)結(jié)合了微機(jī)電加工技術(shù)和機(jī)械諧振式傳感技術(shù)，除了具有傳統(tǒng)機(jī)械諧振傳感器精度高、穩(wěn)定性好、準(zhǔn)數(shù)字輸出等優(yōu)點(diǎn)之外，還具有體積小、功耗低、與集成電路工藝兼容、易于大批量生產(chǎn)等特點(diǎn)。

　　上世紀(jì)80年代以來，國(guó)內(nèi)外眾多公司與研究機(jī)構(gòu)廣泛開展了諧振式MEMS傳感器及其真空封裝技術(shù)的研究。其中DRUCK 公司Greenwood等人研制出蝶形結(jié)構(gòu)的諧振式MEMS壓力傳感器，由于真空封裝過程涉及兩次玻璃焊料高溫黏合，且其中一次黏合需要精確對(duì)準(zhǔn)蓋板上的金屬電極與基板上的諧振器，加工難度較大。橫河電機(jī)Ikeda等人研制了電磁激勵(lì)、電磁檢測(cè)的諧振式MEMS壓力傳感器，制作過程涉及擴(kuò)散、多晶硅外延生長(zhǎng)和多次薄膜沉積工藝，雖然將諧振器封裝在獨(dú)立腔室中，但制作過程非常復(fù)雜。國(guó)內(nèi)在這方面也有相關(guān)研究，中科院電子學(xué)研究所陳德勇等人制作了電熱激勵(lì)的諧振式MEMS壓力傳感器，但采用了單芯片管殼封裝，不僅封裝效率低，還存在熱應(yīng)力較大的問題。史曉晶、李玉欣等人采用擴(kuò)散硅工藝制作了梁膜一體的諧振式MEMS壓力傳感器，其真空封裝采用黏合鍵合的方法進(jìn)行單片封裝，該方案存在以下缺點(diǎn)：(1)將諧振器暴露在空氣中使諧振器的品質(zhì)因數(shù)難以提高;(2)沒能形成對(duì)諧振器的有效保護(hù);(3)采用有機(jī)黏合材料封裝，引入應(yīng)力較大且長(zhǎng)期穩(wěn)定性較差;(4)單芯片封裝，效率低。

　　本文介紹了一種基于絕緣體上硅(Silicon-On-Insulator，SOI)工藝的諧振式MEMS壓力傳感器的制作及圓片級(jí)真空封裝方法，利用精密機(jī)械加工技術(shù)在Pyrex玻璃晶圓上制作空腔和電連接通孔，并通過硅-玻璃陽(yáng)極鍵合將諧振器封裝在真空中。該方法有利于提高諧振器的品質(zhì)因數(shù)，并形成對(duì)諧振器的有效保護(hù)。與有機(jī)黏合材料和金屬焊接材料相比，陽(yáng)極鍵合采用的Pyrex玻璃與單晶硅的熱膨脹系數(shù)匹配更好，減小了真空封裝引入的應(yīng)力;圓片級(jí)真空封裝的實(shí)現(xiàn)，大大提高了封裝效率。

　　2、傳感器的設(shè)計(jì)

　　2.1、工作原理與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

　　根據(jù)振動(dòng)部分的結(jié)構(gòu)特征，諧振式壓力傳感器分為諧振筒式、諧振膜式和諧振梁式壓力傳感器。本文選擇了雙端固支H 型諧振梁作為諧振器，如圖1所示，H 型諧振梁由2根單梁組成，通過中間的連接點(diǎn)連接。采用電磁激勵(lì)和電磁拾振的方式，將H 型諧振梁水平放置，同時(shí)在其周圍提供豎直方向的均勻磁場(chǎng)，當(dāng)其中一根單梁上通過交變電流時(shí)，H 型諧振梁受到周期性安培力的作用進(jìn)行受迫振動(dòng)，另一根單梁在均勻磁場(chǎng)中切割磁感線而產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。當(dāng)交變電流的頻率與H 型諧振梁固有頻率相同時(shí)，H 型諧振梁振幅達(dá)到最大，通過檢測(cè)由此產(chǎn)生的最大電動(dòng)勢(shì)可檢測(cè)到H 型諧振梁的固有頻率。

圖1　H型諧振梁結(jié)構(gòu)示意圖

　　5、結(jié)論

　　本文采用陽(yáng)極鍵合技術(shù)，結(jié)合SOI-MEMS工藝，設(shè)計(jì)了一種諧振式MEMS壓力傳感器的真空封裝方法，將諧振器封裝在真空中。通過有限元仿真設(shè)計(jì)了傳感器的結(jié)構(gòu)參數(shù)，并利用差分檢測(cè)提高傳感器的靈敏度，同時(shí)減小部分應(yīng)力對(duì)傳感器性能的影響�；�于體硅工藝加工了傳感器樣片，工藝簡(jiǎn)單、易實(shí)現(xiàn)。采用微機(jī)械加工的方法，加工了帶有電連接通孔和真空腔的玻璃蓋板。基于陽(yáng)極鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)了圓片級(jí)真空封裝，可長(zhǎng)期保持真空，并具有低應(yīng)力的特點(diǎn)。測(cè)試表明，設(shè)計(jì)的真空封裝方案是完全可行的，該設(shè)計(jì)將諧振器封裝在真空環(huán)境下，對(duì)其形成了有效保護(hù);在10kPa～110kPa，傳感器的差分檢測(cè)靈敏度高達(dá)10.66 Hz/hPa，線性相關(guān)系數(shù)為0.999995，大大提高了封裝效率。