C60分子在石墨烯/釕表面生長行為的研究

2013-04-29 李 更 中國科學院物理研究所

　　在室溫下，C60 分子在完美的石墨烯/釕摩爾斑點結(jié)構(gòu)上公度生長會形成一種周期大約為3 nm 的超結(jié)構(gòu)。未充分退火的石墨烯/釕樣品表面有著各種各樣的缺陷，在這樣的基底上C60 分子依然排列成為周期性密堆的結(jié)構(gòu)而不受樣品表面臺階、缺陷以及起伏的影響。

　　這些實驗現(xiàn)象說明在石墨烯/釕表面C60分子間的相互作用強于分子與基底的相互作用，從而主導了C60 分子的生長行為。DFT 計算也證實了結(jié)論。

　　本文的工作對于研究石墨烯/釕表面的超結(jié)構(gòu)以及未來全碳電子器件可能會有一定的幫助。